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   ● 打壓還原集成一體化，解決擊穿在傳統(tǒng)工藝中生產(chǎn)效率低問(wèn)題

   ● 國(guó)內(nèi)和國(guó)際上最大的40T單爐多晶硅電源系統(tǒng)

   ● 除采用傳統(tǒng)硅調(diào)功器以外，力源新創(chuàng)的IGBT模式，比起傳統(tǒng)的硅調(diào)功器，具有以下 優(yōu)勢(shì)：  

            * 功率因數(shù)高，可達(dá)0.95以上，解決了傳統(tǒng)硅調(diào)功器需要SVG功率因數(shù)補(bǔ)償裝置

            * 解決了硅調(diào)功器三相不平衡的問(wèn)題

            * 設(shè)備配置更簡(jiǎn)潔更簡(jiǎn)單

            * 效率更高，比傳統(tǒng)硅調(diào)功器高2%

            *IGBT開關(guān)頻率15KHZ，控制速度更快

   ●  具有快速限流技術(shù)，避免原來(lái)容易出現(xiàn)跳閘現(xiàn)象